SP6566AFB是(shì)一(yī)顆高(gāo)性能(néng)的(de)開(kāi)關電¶£φ‌(diàn)源次級側同步整流控制(zhì)電(diàn)路(lù)。在低¶≠≈'(dī)壓大(dà)電(diàn)流開(kāi)關電(π€diàn)源應用(yòng)中，輕松滿足6級能(néng)效，是(®₹ shì)理(lǐ)想的(de)超低(dī)導通(tōn‌&✘∑g)壓降整流器(qì)件(jiàn)的(de)解決方案。芯片↓≥₩≤可(kě)支持高(gāo)達150KHz 的(de)開(kāi)關頻×≥±(pín)率應用(yòng)，并且支持CCM/QR/DCM等開(kāi)關電(dià∑₩n)源工(gōng)作(zuò)模式應用(yòng)，其極低(dק§εī)導通(tōng)壓降産生(shēng)的(de)損耗遠(yu€₩ǎn)小(xiǎo)于肖特基二極管的(de)導通(tōng)損耗，極大(dà)提高 ↕(gāo)了(le)系統的(de)轉換效率，大(dà)幅降低(dī)了(le)整流器(qì¥♠β )件(jiàn)的(de)溫度。芯片內(♣®∑nèi)置耐壓60V的(de)NMOSFET同步整流開(kāi)關，且具有(yǒu)極£λ<低(dī)的(de)內(nèi)阻，可(kě)提供系統高(gāo)達3A的(dσλΩ"e)應用(yòng)輸出;還(hái)內(nèi)置了(le)高(gāo)壓直接檢測技(jδπ♠→ì)術(shù)，耐壓高(gāo)達150V;以及自(zì↔₽)供電(diàn)技(jì)術(shù)極大(dà)∏↔'σ擴展了(le)輸出電(diàn)壓應用(yòng)範圍。

應用(yòng)範圍

（1）3.3V~12V快(kuài)充電(diàn)源&nbs♠¥∑£p;   （2）低(dī)壓大(dà)÷$電(diàn)流電(diàn)源 （3） 高(gāo)能(néng)效開(kāi)關‍÷φπ電(diàn)源