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具備國(guó)內(nèi)先進設備
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SP6606HPS
SP6606HPS 是(shì)一(yī)顆電(diàn)流模式÷←™→ PWM 控制(zhì)芯片,內(nèi)置功率 MOSFET。
SP6606HPS 在 PWM 模式下(xi ¶à)工(gōng)作(zuò)于固定頻(pín)率,這(zhè)個(gè)頻(pín)率是(s©₹hì)由內(nèi)部精确設定的(de)。在空(kōng)載或者輕載時(shí),工(gōngσ"γ∞)作(zuò)頻(pín)率由 IC 內(nèi)部調整。芯片可(kě)以工(gōng)作(z™♦uò)在綠(lǜ)色模式,以此來(lái)減小(xiǎo)輕載時(shí)的(de)損耗,± "提高(gāo)整機(jī)的(de)工(gōn♠♥≥±g)作(zuò)效率,SP6606HPS 在啓動和(hé)工(gōng)作(zuò)£•時(shí)隻需要(yào)很(hěn)小(xiǎo)的(de)電(diàn)流,可(kě)¶<★≤以在啓動電(diàn)路(lù)中使用(yòng)一(yī)個(gè)很(hě☆ ☆n)大(dà)的(de)電(diàn)阻®¥→,以此來(lái)進一(yī)步減小(xiǎo)待機(jī)時(shí)的(de)功耗。←•∏芯片內(nèi)置有(yǒu)斜坡補償電(diàn)路(lù),當電(diàn)路(lù)工(gōΩ•€×ng)作(zuò)于大(dà)占空(kōng)比時(shí),避免次諧波振蕩的(de)發生(sh₹$≤ēng),改善系統的(de)穩定性。內(nèi)置♣€σ有(yǒu)前沿消隐時(shí)(Leading-edge >blankingtime),消除緩沖網絡中的®(de)二極管反向恢複電(diàn)流對(duì)電(diàn)路(lù)的(de)影(☆←₩yǐng)響。SP6606HPS 采用(yòng)了(le)抖頻(pín)技←✘(jì)術(shù),能(néng)夠有(yǒu)效改善系統的(de) EMI 性能(néng)φ∑。系統的(de)跳(tiào)頻(pín)頻"≥✘₽(pín)率設置在音(yīn)頻(pín)(20KHz)以上(shàng),在工(gōn¶<λ∞g)作(zuò)時(shí)可(kě)以避免系統産生(shēng)噪音(yīn)。SP6606HP✘≥S 內(nèi)置多(duō)種保護,包括逐周期限流保護(OCP),過載保護(OLβ"'→P),過壓保護(OVP),VDD 過壓箝位,欠壓保護(UVλ☆✘LO),過溫保護(OTP)等,通(tōn"₹g)過內(nèi)部的(de)圖騰柱驅動結構可(kě)以更好(hǎo)λ∏的(de)改善系統的(de) EMI 特性和(hé)開(kāi)關的(de)軟啓動控制(zhì)。 β$≤
應用(yòng)範圍
(1)充電(diàn)器(qì) (₽£2) PDA、數(shù)碼相(xiàng)機(jī)、 •攝像機(jī)電(diàn)源适配器(qì) (3)機(jī)≠×₹↑頂盒電(diàn)源 (4)開(kāi)放(fàng)框架式開(kāi)≥π←®關電(diàn)源 (5)個(gè)人(rén)電(diàn)腦(™ nǎo)輔助電(diàn)源