SP6639HF 是(shì)一(yī)顆電(diàn)流模式 PWM 控制(zh← ì)芯片，內(nèi)置功率 MOSFET，用(yòΩ Ωng)于功率在 27W 以內(nèi)的(de)方案。該芯片在系統輸出空(kō&♠ng)載時(shí)工(gōng)作(zuò)在跳(tiào)頻(pí↓δ≠↕n)模式，在系統輸出輕載到(dào)中等負載階段工(gōng)作(zuò)在 PFM 模式，在輸出♥Ω重載時(shí)工(gōng)作(zuò)在最大(dà)恒定工(gōng)作(zuò)頻(pín)<±率。SP6639HF 的(de)啓動電(diàn)流和(héπ₽≥)工(gōng)作(zuò)電(diàn)流設定的(de)比較小(©↓xiǎo)，以此減小(xiǎo)待機(jī)時(shí)的(de)功耗。芯片←₩✘內(nèi)置有(yǒu)斜坡補償電(diàn)路(lù)，避免次諧波振蕩的(de)發生(shβ∏≠ēng)，改善系統的(de)穩定性。芯片內(nèi)置有(yǒu)前沿消隐時(shí)間(jiā£♣✘n)（Leading-edge blanking time），消除緩沖$↑網絡中的(de)二極管反向恢複電(diàn)流對(duì)電(diàn)路(lù)的→••(de)影(yǐng)響。該芯片帶有(yǒ∏> u)抖頻(pín)功能(néng)，能(néng)夠有(yǒu)效改善系統的(dε׶e) EMI 性能(néng)。芯片最低(✔‍dī)的(de)工(gōng)作(zuò)頻(∏§pín)率設置在音(yīn)頻(pín)以上(shàng)，在工©Ω♦(gōng)作(zuò)時(shí)可(kě)以避免系統産生(shēng)噪音(✘≈™≥yīn)。SP6639HF 內(nèi)置多(duō)種保護&₩，包括逐周期限流保護（OCP），過壓保護（OVP），VDD 過壓₹$€箝位，欠壓保護（UVLO），過溫保護（OTP）等，通(tōng)過內(★¶§ nèi)部的(de)圖騰柱驅動結構可(kě)以更好(hǎo)的(de)改善系統的(de) EM↓ε ≥I 特性和(hé)開(kāi)關的(de)軟啓動控 ↓制(zhì)。SP6639HF 使用(yòn≈★g) SOP8 無鉛封裝。