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具備國(guó)內(nèi)先進設備
采用(yòng)ERP系統管理(lǐ)，更專業(yè)化(huà)
SP6518F
SP6518F 是(shì)一(yī)顆高(gāo)性能(néng)σπ的(de)開(kāi)關電(diàn)源次級側同步整流控制(zhì)電(diàn)路(lù)。在低≠∞≠(dī)壓大(dà)電(diàn)流開(kāi)關電(d$↔→☆iàn)源應用(yòng)中，輕松滿足 6 級能(néng)效，是(s∑¶<hì)理(lǐ)想的(de)超低(dī)導通(tōng)壓α÷♣降整流器(qì)件(jiàn)的(de)解÷¶決方案。芯片可(kě)支持高(gāo)達 150kHz的 •σ≠(de)開(kāi)關頻(pín)率應用(yòng)∞ε ™，并且支持 CCM / QR / DCM 等開(kāi)關電(diàn↑®)源工(gōng)作(zuò)模式應用(yòng)，其極低(dī)導通(tōng)壓降産生(shēγ♣ng)的(de)損耗遠(yuǎn)小(x÷☆•®iǎo)于肖特基二極管的(de)導通(tōng)損耗，極大(dà)提高±☆©€(gāo)了(le)系統的(de)轉換效率，大(dà)幅降低(dī)了(le)整流器(qì)件(j≠±±iàn)的(de)溫度。
芯片內(nèi)置耐壓80V的(de)NM↓γ₩OSFET同步整流開(kāi)關，且具有(yǒu)極低(dī)的(de)內(nèi)阻™'，典型 RdsON 低(dī)至 10mΩ，可(kě)提供系統高(gāo)達 ♠£₽3A 的(de)應用(yòng)輸出；還(hái)內(nèi<ε)置了(le)高(gāo)壓直接檢測技(jì)術(sh₹α©ù)，耐壓高(gāo)達 200V；以及自(z¶π≤•ì)供電(diàn)技(jì)術(shù)極大(↕✔§®dà)擴展了(le)輸出電(diàn)壓應用(yòng)範₽↕圍。
應用(yòng)範圍
(1)3.3V3A~12V3A、快(kuài)充電(diàn)源 (≠∞2)18W-PD（PPS）快(kuài)充電(diàn)源 (3)高(gā↓ ×↔o)能(néng)效開(kāi)關電(diàn)源↓☆∑
