産品分(fēn)類
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具備國(guó)內(nèi)先進設備
采用(yòng)ERP系統管理(lǐ)，更專業(yè)化(huà)
SP6519F
SP6519F 是(shì)一(yī)顆>≈∑高(gāo)性能(néng)的(de)開(kāi)關電(diàn)源次級側同步整流控制(zhì)×£電(diàn)路(lù)。在低(dī)壓大(dà)電(d÷γiàn)流開(kāi)關電(diàn)源應用(yòng)中，輕松滿足 6 級÷§≈能(néng)效，是(shì)理(lǐ)想的(de)↕φ§γ超低(dī)導通(tōng)壓降整流器(qì)件(jiàn>£•✔)的(de)解決方案。芯片可(kě)支持高(gāo)達 150kHz的(de®Ω)開(kāi)關頻(pín)率應用(yòng)，并且支持 CCM / QR /&↑↔ DCM 等開(kāi)關電(diàn)源工(gōng)作(zuò)模↔≥式應用(yòng)，其極低(dī)導通(tōng)壓降産生(s ↑ ∏hēng)的(de)損耗遠(yuǎn)小(xiǎβ 'o)于肖特基二極管的(de)導通(tōng)損耗，極✘δ 大(dà)提高(gāo)了(le)系統的(d©•e)轉換效率，大(dà)幅降低(dī)了(le)整流器(qì)件¶↑δ(jiàn)的(de)溫度。
芯片內(nèi)置耐壓 100V 的(de)Ω← NMOSFET 同步整流開(kāi)關，且具有(yǒu)極低(dī)的(de)內<$ε♥(nèi)阻，典型 RdsON 低(dī)至 πλ10mΩ，可(kě)提供系統★®高(gāo)達 3A 的(de)應用(y•≠ òng)輸出；還(hái)內(nèi)置了(le)高(gāo)±♠≈壓直接檢測技(jì)術(shù)，耐壓高(gā∏∏✔♣o)達 200V；以及自(zì)供電(diàn)技(jì)術(shùγ™)極大(dà)擴展了(le)輸出電(diàn)壓應用(yòng)範圍 §。
應用(yòng)範圍
(1)3.3V3A~15V3A 快(kuài)充電(di¶™àn)源 (2)低(dī)壓大(dà)電(diàn)流電(→©diàn)源 (3)高(gāo)能✘÷<(néng)效開(kāi)關電(diàn)源
